半導体技術の中国流出に懲役7年、同罪では最も重い刑量 | 東亜日報
https://www.donga.com/jp/article/all/20250220/5458627/1と共謀した罪で起訴された三星電子の協力会社の元職員のに対しては、懲役2年6ヵ月が言い渡された。…は、国家の主要技術である18ナノDラム半導体工程関連情報を流出し、これを使う段階に至った」とし、「中国メーカーがこれを利用して製品量産に成功するなど、三星電子…三星電子に20年以上勤めたは、2016年、中国に転職する過程で、18ナノDラム半導体工程情報など7つの資料を流出し、中国半導体メーカーの長鑫メモリテクノロジー…と共謀した罪で起訴された三星電子の協力会社の元職員のに対しては、懲役2年6ヵ月が言い渡された。…は、国家の主要技術である18ナノDラム半導体工程関連情報を流出し、これを使う段階に至った」とし、「中国メーカーがこれを利用して製品量産に成功するなど、三星電子
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