「FLOSFIA」に関する特許、知的財産の情報を最新トピックスを含めiptops.comでチェックできます。 iptops.comには、「FLOSFIA」に関する、38件の知財ニュース、 6件の知財ブログが掲載されています。
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FLOSFIA、京大発Ga₂O₃半導体デバイスの最新の量産計画と技術開発に関するお知らせ - 最先端GaO®パワー半導体を手掛けるFLOSFIA(フロスフィア…ついては、FLOSFIAの最新の量産計画および技術開発に関しまして、お知らせいたします。…FLOSFIAプレスリリース(PDF)はこちら 【最新の量産計画】 FLOSFIAでは、初期製品としてのSBDの量産に向けて、600V・10Aのサンプル…【最新の技術開発】 他方で、FLOSFIAの技術開発は着実に進展しております。…【FLOSFIAについて】 株式会社FLOSFIAは、半導体により引き起こされる3つの環境負荷(エネルギー、プロセス、マテリアル)の低減を「半導体エコロジー
FLOSFIA、京大発Ga2O₃半導体デバイスの最新の量産計画と技術開発に関するお知らせ (2024年12月5日掲載) - ライブドアニュース 株式会社…FLOSFIA株式会社FLOSFIA(本社:京都市西京区、代表取締役社長:人羅俊実)では、パワー半導体として世界的に注目されている酸化ガリウム(α-Ga2O₃
それとともに、盲点として、ベンチャー企業と言われる、ファインセラミックス(6回)、ノベルクリスタル、四国総研、FLOSFIA、GSIクレオス(各2回)など
FLOSFIAと三洋化成が共同開発!電動化の新時代へ。…| 三洋化成 FLOSFIAと三洋化成が共同開発!電動化の新時代へ。…2023年12月7日 プレスリリース 株式会社FLOSFIA(本社 京都市西京区、代表取締役社長:人羅俊実、以下、FLOSFIA)と三洋化成工業株式会社…(本社:京都市東山区、代表取締役社長:樋口章憲、以下、三洋化成)は、2022年より進めている共同開発により、FLOSFIAの基板埋込技術と、三洋化成が独自開発
日本スタートアップ第1回は、マイクロ波化学、イーセップ、エレファンテック、FLOSFIAの4社。…【FLOSFIA】GaO®パワー半導体で目指す究極の「半導体エコロジー®」 FLOSFIA(フロスフィア、本社:京都府、英語表記:FLOSFIA INC
また有望スタートアップとして、エイトス(愛知県豊田市、提案制度特化クラウド)、ユームズ・フロンティア(三重県鈴鹿市、マイクロ水力発電)、FLOSFIA(
「京都のカルチャーあってこそ」 コロナ禍による世界的な半導体不足で注目が集まっているFLOSFIA(フロスフィア)も京都発のベンチャー企業の1つだ。…アライアンスを組んでいくというのが直接的な要素かなと思ってます」 日本がディープテックのベンチャーで他国を追いかける中、京都大学がエネコートテクノロジーズやFLOSFIA
「京都のカルチャーあってこそ」 コロナ禍による世界的な半導体不足で注目が集まっているFLOSFIA(フロスフィア)も京都発のベンチャー企業の1つだ。…アライアンスを組んでいくというのが直接的な要素かなと思ってます」 日本がディープテックのベンチャーで他国を追いかける中、京都大学がエネコートテクノロジーズやFLOSFIA
〇FLOSFIA(https://flosfia.com/)ミストドライ成膜技術を基礎技術として、パワーデバイス事業と成膜ソリューション事業を展開。
子会社2社を合併旅客船運航事業のトライアングル、神奈川県横須賀市から「浦賀の渡し」航路事業を譲り受け三洋化成工業4471、京都大学発半導体ベンチャーのFLOSFIA
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講義ではさらに、京都大学発のFLOSFIAやノベルクリスタルテクノロジーといったベンチャー企業の事例を中心に、先端技術を社会実装するための挑戦や、グローバル
弁理士, 企業知財, 模倣品対策, 中央大学法学部(通教), 神戸市, powerlifter (M1-74kg), 夢霧(むーむー)@ひいらぎですむー, きのこ狩り担当
③戦 略 的 な パ テ ン ト マ ッ プ の 形 成（株 式 会 社FLOSFIA）2 1％同社では大企業の知財戦略にも渡り合っていくた めに、まず
②株式会社FLOSFIA（フロスフィア） 次回（第26回・9月13日）のＯＣＳにご登壇頂きます。
今回、ご登壇頂きます、株式会社FLOSFIA （フロスフィア） 様は、今まさに注目の京都大学発ベンチャー企業です。 .…この酸化ガリウム半導体技術において、世界先端レベルの技術を開発しているのが、この FLOSFIA様 です。 .
株式会社FLOSFIA（フロスフィア） 営業部 國枝 浩二 様をお迎えしてご登壇頂く予定です。 .…株式会社FLOSFIAは、酸化ガリウム半導体デバイスの開発を先駆者的に進めている、いずれ我が国のパワー半導体業界に大きなインパクトをもたらすであろう、注目…株式会社FLOSFIA（フロスフィア）様は、「コランダム構造酸化ガリウム パワーデバイスの新規p型層材料の作製に成功！」…最近では、日刊工業新聞に「次世代パワー半導体材料、酸化ガリウム急浮上 | FLOSFIAがSBD（ショットキーバリアーダイオード）開発」というタイトルで
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J-PlatPat(特許情報プラットフォーム)につながらない場合の代替
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